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型号: IXFN82N60Q3 |
| 描述: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| 系列: HiPerFET? |
| 制造商: IXYS |
| FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: 标准型 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°C: 75 毫欧 @ 41A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss): 600V |
| 电流-连续漏极(Id) @ 25°C: 66A |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: 275nC @ 10V |
| 在Vds 时的输入电容(Ciss): 13500pF @ 25V |
| 功率-最大: 960W |
| 安装类型: 底座安装 |
| 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC |
| 库存状态: 10 |
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